智能半导体芯片材料真空烧结炉
| 编号: | ZKZKN13 |
| 类型: | 极限真空度 6×10-4Pa |
| 规格: | 400*150*150mm |
| 材质: | 合金 |
| 颜色: | 米白 |
| 品牌: | 中达 |
| 型号: | ZDZKN13-18-1000 |
专业产品介绍
产品型号: ZDZKN13-18-1000 科研级高真空烧结炉
核心定位:
一款面向 半导体前沿研发与高端精密制造 的顶级科研装备。以 6×10⁻⁴Pa 极高真空、±3℃精密温场及全合金洁净环境 为核心,专为芯片材料、量子器件、超导薄膜等对工艺环境有极端要求的领域而设计。
核心优势:
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尖端真空环境,守护材料本征特性
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极高真空度:空载极限真空达 6×10⁻⁴Pa,创造超高洁净的无氧、无污染环境,彻底杜绝材料氧化与杂质吸附,满足半导体级工艺标准。
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全合金洁净炉胆:采用特殊高温合金内胆,出气率极低,确保炉内环境始终满足高纯材料处理要求。
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科研级精密温场,数据可重复性强
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卓越均匀性:空载状态下,炉内温度均匀度严格控制在 ±3℃,为纳米级薄膜烧结、器件封装等工艺提供无可匹敌的热场一致性,确保实验数据的极高重复性与可靠性。
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精准控温:最高工作温度1000℃,精准覆盖从先进封装到新材料合成的关键温区。
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智能数字化研发管理
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15寸大屏智能控制,集成无纸记录系统,自动记录并存储完整的温度、真空度曲线与工艺参数。
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科研数据无忧:一键导出实验报表,轻松用于论文附图与项目报告,全面支撑知识产权申请与高水平研究成果产出。
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紧凑型精密腔体,专为珍贵样品设计
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400×150×150mm(深×宽×高) 的专用科研炉膛,最大限度减少空间占用,同时确保珍贵样品在最优环境下处理,兼顾研发效率与成本。
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典型应用:
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前沿科技:半导体芯片封装与互连、量子材料合成、超导薄膜制备。
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精密制造:5G/6G射频器件、MEMS(微机电系统)、高端传感器芯片的烧结与退火。
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科研探索:超净、超高真空环境下的新材料开发与基础科学研究。
我们的承诺:
中达电炉 —— 20年尖端技术沉淀。我们致力于为顶尖科研机构与高科技企业提供性能卓越、稳定可靠的高真空热处理解决方案。
“ZDZKN13高真空烧结炉:以6×10⁻⁴Pa极致真空与±3℃精控温场,成为半导体与量子科技前沿研究的基石。”
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